GaAs wafer eller GaAs substrat wafer. 2" GaAs wafer, 3" GaAs wafer, 4" GaAs wafer, 6" GaAs wafer

GaAs wafer til VCSEL, GaAs wafer til LD, GaAs wafer til LED, GaAs wafer til Microelectronics.

GaAs Substrat Wafers
PUNKT	Enhed	LD-applikationsspecifikationer	LED-applikationsspecifikationer	Mikroelektronik specifikationer
Opførselstype		n-type	p-type/n-type	-
Krystalvækstmetode		VGF	VGF	VGF
Dopant		Si	Zn/Si	Udopet
Diameter	tomme	2",3",4"og 6"	2",3",4"og 6"	2",3",4"og 6"
Wafer orientering		(100)±0,1 grad	(100)±0,5 grader	(100)±0,5 grader
OF/IF		USA eller EJ	USA eller EJ	US, EJ eller notch
Carrire koncentration	/cm³	(0.4-2.5)×10¹⁸	(0.5-5)×10¹⁹ (0.4-4)×10¹⁸
Resistivitet (ved RT)	ohm.cm	(1.2-9.9)×10^-3	(1.2-9.9)×10^-3	>10⁷
Mobilitet	cm²/vs	>1500	5-120/>1000	>4000
Etch Pit Density (EPD)	/cm²	<500	<5000	<5000
Laser mærkning		Efter anmodning	Efter anmodning	Efter anmodning
Tykkelse	μm	(350-650)±25	(350-650)±25	(350-650)±25
TTV(P/P)	μm	Mindre end eller lig med 5	Mindre end eller lig med 5	Mindre end eller lig med 4
TTV(P/E)	μm	Mindre end eller lig med 10	Mindre end eller lig med 10	Mindre end eller lig med 10
Warp	μm	Mindre end eller lig med 10	Mindre end eller lig med 10	Mindre end eller lig med 10
Overflade	Side 1 Side 2	Poleret Poleret/ætset	Poleret Poleret/ætset	Poleret Poleret/ætset
Epi-klar		Ja	Ja	Ja
Pakke		Kassette eller enkelt wafer beholder	Kassette eller enkelt wafer beholder	Kassette eller enkelt wafer beholder
* Wafertykkelse og orientering kan specificeres.